Los sensores de presión semiconductores se pueden dividir en dos categorías, uno se basa en el principio de que las características de I-No de la unión PN semiconductora (o unión Schottky) cambian bajo estrés. El rendimiento de este elemento sensible a la presión es muy inestable y no se ha desarrollado enormemente. El otro es el sensor basado en el efecto piezoresistivo de semiconductores, que es la principal variedad de sensor de presión semiconductora. En los primeros días, los medidores de tensión de semiconductores se unieron principalmente a elementos elásticos para hacer diversos instrumentos de medición de estrés y tensión. En la década de 1960, con el desarrollo de la tecnología de circuito integrado de semiconductores, un sensor de presión semiconductora con resistencia de difusión a medida que apareció un elemento piezoresistivo. Este tipo de sensor de presión tiene una estructura simple y confiable, sin partes móviles relativas, y el elemento sensible a la presión y el elemento elástico del sensor están integrados, lo que evita el retraso y la fluencia mecánicos y mejora el rendimiento del sensor.

El efecto piezoresistivo del semiconductor semiconductor tiene una característica relacionada con la fuerza externa, es decir, la resistividad (representada por el símbolo ρ) cambia con el estrés que lleva, que se llama efecto piezoresistivo. El cambio relativo de resistividad bajo la acción del estrés unitario se llama coeficiente piezoresistivo, que se expresa por el símbolo π. Expresado matemáticamente como ρ/ρ = π σ.

Donde σ representa el estrés. El cambio del valor de resistencia (R/R) causado por la resistencia semiconductora bajo estrés está determinado principalmente por el cambio de resistividad, por lo que la expresión del efecto piezoresistivo también puede escribirse como R/R = πσ.

Bajo la acción de la fuerza externa, cierta tensión (σ) y tensión (ε) se generan en cristales de semiconductores, y la relación entre ellos está determinada por el módulo de Young (y) del material, es decir, y = σ/ε.

Si el efecto piezoresistivo se expresa por la tensión sobre el semiconductor, es r/r = gε.

G se denomina factor de sensibilidad del sensor de presión, que representa el cambio relativo del valor de resistencia bajo la tensión unitaria.

El coeficiente piezoresistivo o el factor de sensibilidad es el parámetro físico básico del efecto piezoresistivo de semiconductores. La relación entre ellos, al igual que la relación entre el estrés y la tensión, está determinada por el módulo de material del material de los jóvenes, es decir, g = π y.

Debido a la anisotropía de los cristales de semiconductores en la elasticidad, el módulo de Young y el coeficiente piezoresistivo cambian con la orientación al cristal. La magnitud del efecto piezoresistivo de semiconductores también está estrechamente relacionada con la resistividad del semiconductor. Cuanto menor sea la resistividad, menor es el factor de sensibilidad. El efecto piezoresistivo de la resistencia a la difusión está determinado por la orientación cristalina y la concentración de impurezas de resistencia a la difusión. La concentración de impureza se refiere principalmente a la concentración de impureza de la superficie de la capa de difusión.