Piezas de excavadora Hitachi EX200-2/3/5 sensor de interruptor de presión 4436271

Mecanismo de trabajo

1) efecto magnetoeléctrico

Según la ley de inducción electromagnética de Faraday, la magnitud de la fuerza electromotriz inducida generada en la bobina depende de la tasa de cambio del flujo magnético que pasa a través de la bobina cuando la bobina de N vueltas se mueve en el campo magnético y corta la línea de fuerza magnética ( o el cambio de flujo magnético del campo magnético donde se encuentra la bobina).

Sensor magnetoeléctrico de movimiento lineal

El sensor magnetoeléctrico de movimiento lineal consta de un imán permanente, una bobina y una carcasa del sensor.

Cuando la carcasa vibra con el cuerpo vibrante que se va a medir y la frecuencia de vibración es mucho mayor que la frecuencia natural del sensor, debido a que el resorte es blando y la masa de la parte móvil es relativamente grande, ya es demasiado tarde para la parte móvil. vibrar (quedarse quieto) con el cuerpo vibrante.En este momento, la velocidad de movimiento relativa entre el imán y la bobina es cercana a la velocidad de vibración del vibrador.

tipo rotativo

Se fijan hierro dulce, bobina e imán permanente.En el cuerpo giratorio medido se instala un mecanismo de medición de material conductor magnético.Cada vez que se gira un diente, la resistencia magnética del circuito magnético formado entre el engranaje de medición y el hierro dulce cambia una vez, y el flujo magnético también cambia una vez.La frecuencia (número de pulsos) de la fuerza electromotriz inducida en la bobina es igual al producto del número de dientes del engranaje de medición por la velocidad de rotación.

efecto Hall

Cuando se coloca un semiconductor o una lámina metálica en un campo magnético, cuando fluye una corriente (en la dirección plana de la lámina perpendicular al campo magnético), se genera una fuerza electromotriz en la dirección perpendicular al campo magnético y la corriente.Este fenómeno se llama efecto Hall.

elemento de pasillo

Los materiales Hall más utilizados son germanio (Ge), silicio (Si), antimonuro de indio (InSb), arseniuro de indio (InAs), etc.El germanio tipo N es fácil de fabricar y tiene buen coeficiente Hall, rendimiento de temperatura y linealidad.El silicio tipo P tiene la mejor linealidad y su coeficiente Hall y rendimiento de temperatura son los mismos que los del germanio tipo N, pero su movilidad electrónica es baja y su capacidad de carga es pobre, por lo que generalmente no se usa como un Hall único. elemento.